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一种隔离结构及其形成方法，所述隔离结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括PMOS晶体管区和NMOS晶体管区，所述PMOS晶体管区和NMOS晶体管区相邻；在PMOS晶体管区和NMOS晶体管区之间的所述半导体衬底内形成沟槽；在所...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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