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本发明涉及一种提高物理气相传输法生长4H‑SiC晶体晶型稳定性的方法。该方法包括：改变晶体生长体系结构或材质，促进粉料升华的气相组分与生长体系中石墨材料的反应，进而增加输运至生长界面组分的C/Si比，增加4H‑SiC晶型的稳定性，使整个生长...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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