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本发明提供在III族氮化物半导体中促进p型掺杂剂活化的包含p型III族氮化物半导体的元件和制作元件的方法。在外延衬底E上生长低氢含量膜(55)。低氢含量膜(55)具有例如1×1020cm-3以下的氢浓度。低氢含量膜(55)的生长例如在不使用...
该专利属于住友电气工业株式会社;索尼株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社;索尼株式会社授权不得商用。

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