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包括磁各向异性增强层和结晶阻碍层的垂直MTJ堆叠体制造技术
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下载包括磁各向异性增强层和结晶阻碍层的垂直MTJ堆叠体的技术资料
文档序号:11366533
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本发明描述了适用于自旋转移矩存储器(STTM)器件的磁性隧道结(MTJ),其包括垂直磁层、以及由结晶阻碍层而与自由磁层分开的一个或多个各向异性增强层。在实施例中,各向异性增强层改善所述自由磁层的垂直取向,而结晶障碍利用所述自由磁层的晶体织构...
该专利属于英特尔公司所有,仅供学习研究参考,未经过英特尔公司授权不得商用。
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