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金属氧化物半导体(MOS)晶体管(340)包括具有顶侧半导体表面(106)的衬底(105)，顶侧半导体表面(106)掺杂有具有基线掺杂水平的第一掺杂物类型。阱(210)在掺杂有第二掺杂类型的半导体表面中形成。阱形成具有阱耗尽区域(215)的...
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