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本发明公开了一种纳米结构的侧壁成形制造方法,该方法可以人工制造任意尺寸和小于5nm的纳米点和线结构。低价的纳微米结构的制造方法:与传统的制造方法相比,“侧壁纳米结构成形”的方法,无需依赖昂贵的电子束曝光设备和高分辨率的深紫外光刻设备,做到低...该专利属于南京工业大学;南京益得冠电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南京工业大学;南京益得冠电子科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种纳米结构的侧壁成形制造方法,该方法可以人工制造任意尺寸和小于5nm的纳米点和线结构。低价的纳微米结构的制造方法:与传统的制造方法相比,“侧壁纳米结构成形”的方法,无需依赖昂贵的电子束曝光设备和高分辨率的深紫外光刻设备,做到低...