一种纳米结构的侧壁成形制造方法技术

本发明专利技术公开了一种纳米结构的侧壁成形制造方法，该方法可以人工制造任意尺寸和小于5nm的纳米点和线结构。低价的纳微米结构的制造方法：与传统的制造方法相比，“侧壁纳米结构成形”的方法，无需依赖昂贵的电子束曝光设备和高分辨率的深紫外光刻设备，做到低价的纳米结构产生方法，可广泛应用于纳米基础科学和应用研究和工业化生产中对纳微米结构制造的需求。宽的纳微米结构制造范围：因为侧壁纳米结构成形方法制备的纳微米结构取决于沉积的侧壁硬掩膜材料的厚度，这样利用这种方法可以制造任意尺寸的纳微米结构。

【技术实现步骤摘要】
一种纳米结构的侧壁成形制造方法
本专利技术涉及纳米
，特别是一种纳米结构的侧壁成形制造方法。
技术介绍
纳米科学技术是一门涉及物理学、化学、材料学、微电子学、生物学和医学等学科交叉的综合性科学。由于纳米材料在微小尺寸下表现出特殊的量子尺寸效应，纳米科学技术在理论上引起广泛注意和在应用上经历着高速的发展。纳米结构是当今科学发展前沿中极具挑战性的研究领域。在大量新兴的纳米材料和器件在电子器件、集成电路、生物医学、国防等发面展现出前所未有的应用前景的同时，降低纳微米制造成本是纳米器件工业化应用的前提。随着器件的物理尺寸不断缩小，对器件制造工艺条件也提出了更高的要求，传统的材料、工艺都将遭遇技术瓶颈。目前几乎所有的工业化纳米结构制造都要依赖于价格非常昂贵的半导体深紫外光刻（Deep-UVPhotolithograph），这些先进的技术都需要用到光刻掩膜技术。电子束曝光光刻（ElectronLithographyBeam，EBL）不需要掩膜，但是制造过程耗时过长，不适宜大规模工业化应用。在小尺度纳米器件制造方面，使用波长最短的Xe光源，由于受到光的干涉、衍射的影响，做出的最小纳米结构也只本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米结构的侧壁成形制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供衬底；步骤二、在所述衬底上沉积薄膜；步骤三、侧壁结构成形，具体为：301、在所述薄膜上采用匀胶机旋涂光刻胶，对光刻胶进行前烘；302、在光刻胶上采用磁控溅射、电子束蒸发、化学气相沉积厚度为5纳米~20纳米的金属或者氧化物材料；303、在所述金属或者氧化物材料上旋涂光刻胶，对光刻胶进行前烘后利用光刻机进行光刻，显影后采用去离子水清洗，并用氮气吹干得到垂直于金属或者氧化物材料的侧壁结构；304、采用反应离子刻蚀或者离子束刻蚀对金属或者氧化物材料进行刻蚀；305、以金属或者氧化物材料为掩膜，采用反应离子刻蚀对位于金属或者氧化物材料...

【技术特征摘要】
1.一种纳米结构的侧壁成形制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供衬底；步骤二、在所述衬底上沉积ZnO薄膜；步骤三、侧壁结构成形，具体为：301、在所述ZnO薄膜上采用匀胶机旋涂光刻胶，对光刻胶进行前烘；302、在光刻胶上采用磁控溅射、电子束蒸发、化学气相沉积厚度为5纳米~20纳米的金属或者氧化物材料；303、在所述金属或者氧化物材料上旋涂光刻胶，对光刻胶进行前烘后利用光刻机进行光刻，显影后采用去离子水清洗，并用氮气吹干得到垂直于金属或者氧化物材料的侧壁结构；304、采用反应离子刻蚀或者离子束刻蚀对金属或者氧化物材料进行刻蚀；305、以金属或者氧化物材料为掩膜，采用反应离子刻蚀对位于金属或者氧化物材料上面的光刻胶进行刻蚀，形成纳米条侧壁；步骤四、采用原子层沉积技术沉积Al2O3硬掩膜纳米材料；步骤五、采用离子束刻蚀对Al2O3硬掩膜纳米材料进行刻蚀，暴露光刻胶；步骤六、采用丙酮剥离光刻胶，以形成纳米侧壁图形；步骤七、以所述纳米侧壁图形为掩膜，采用离子束刻蚀ZnO薄膜；步骤八、采用湿法腐蚀或者化学气相沉积刻蚀Al2O3硬掩膜材料得...

【专利技术属性】
技术研发人员：章伟，李涛，秦薇薇，仇俊文，马先俊，黄胜明，
申请(专利权)人：南京工业大学，南京益得冠电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32