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本发明公开了一种闪存，电源电压为闪存供电，闪存的闪存阵列结构由多个闪存单元结构排列组成。闪存单元结构包括第一源漏区、第二源漏区，在沟道区的表面上方形成有第一控制栅、字线栅和第二控制栅，第一控制栅和所述第二控制栅中分别包括有用于存储电荷信息的...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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