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本发明提供一种GaN基隧穿FinFET器件及其制造方法，器件包括：衬底、叠层、栅绝缘介质层以及栅金属层，叠层包括GaN层、XN层、源极金属层，XN层上方设有漏极金属层，制造方法步骤为：原始材料为具有XN/GaN外延层的晶圆片；制备器件的Fi...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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