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本发明描述了用于制造半导体器件的方法。所述方法包括在第一和第二管芯上形成边缘。所述边缘在横向上延伸离开第一和第二管芯。将第二管芯堆叠在第一管芯上，在堆叠后，穿过边缘钻出一个或多个过孔。所述半导体器件包括分别在第一和第二管芯以及相应的边缘中的...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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