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本发明涉及高电压高功率储能器件、系统及相关联方法。提供了一种具有提高的操作电压的高功率密度储能器件。这种器件可包括在导电衬底上具有结构化表面的阴极，被定位成与该阴极邻近的阳极，其中该阳极包括具有结构化表面的硅衬底，以及其中该阴极的结构化表面...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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