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本发明公开了一种基于屏蔽栅的沟槽栅MOSFET和肖特基二极管的集成结构,形成于硅衬底上且沟槽栅MOSFET和肖特基二极管的形成区域分开且相邻。沟槽栅MOSFET采用具有屏蔽栅的双栅结构,在肖特基二极管的形成区域形成有和沟槽栅相同的沟槽结构,...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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