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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上沉积氧化物层；在氧化物层和半导体衬底中形成第一沟槽；在第一沟槽中填充硅层，以用于形成第一有源区；在氧化物层和半导体衬底中形成第二沟槽；在第二沟槽中填充锗硅...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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