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一种具有高可靠性的可合并半导体器件，包括半导体衬底、位于所述半导体衬底内、具有第一导电类型并且彼此横向隔开的源极和漏极区域以及位于所述半导体衬底内并且具有第二导电类型的复合体区域。所述复合体区域包括横向延伸跨过所述源极和漏极区域的第一阱区域...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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