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本发明公开了一种运用于闪存的高速敏感放大器，包括参考单元恒流源、镜像恒流源电路、读出开关电路、存储单元及其等效位线电容、比较缓冲电路，该镜像恒流源电路的第二PMOS管漏极与该读出开关电路的第一NMOS管漏极相连形成输出节点，该敏感放大器还包...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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