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一种室温P-N-P异质结型氢气传感器及其制备方法技术
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下载一种室温P-N-P异质结型氢气传感器及其制备方法的技术资料
文档序号:11281658
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本发明涉及微电子机械系统气体传感器、半导体材料和有机/无机复合纳米材料领域,公开了一种室温P-N-P异质结型氢气传感器及其制备方法。首先采用碱法或干法刻蚀工艺制备P型微结构硅衬底,或者采用酸法或电化学法刻蚀工艺制备P型多孔硅衬底,然后在硅衬...
该专利属于电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过电子科技大学授权不得商用。
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