一种室温P-N-P异质结型氢气传感器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及微电子机械系统气体传感器、半导体材料和有机/无机复合纳米材料领域，公开了一种室温P-N-P异质结型氢气传感器及其制备方法。首先采用碱法或干法刻蚀工艺制备P型微结构硅衬底，或者采用酸法或电化学法刻蚀工艺制备P型多孔硅衬底，然后在硅衬底表面制备金属纳米颗粒（作为N型材料），再在金属纳米颗粒层上方制备P型有机半导体薄膜，最后在敏感薄膜上制备叉指电极，得到电阻型P-N-P异质结型氢气传感器。本发明专利技术从材料和结构两方面提高了传感器的性能，使其可在室温下工作，具有良好的应用开发前景。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及微电子机械系统气体传感器、半导体材料和有机/无机复合纳米材料领域，公开了一种室温P-N-P异质结型氢气传感器及其制备方法。首先采用碱法或干法刻蚀工艺制备P型微结构硅衬底，或者采用酸法或电化学法刻蚀工艺制备P型多孔硅衬底，然后在硅衬底表面制备金属纳米颗粒（作为N型材料），再在金属纳米颗粒层上方制备P型有机半导体薄膜，最后在敏感薄膜上制备叉指电极，得到电阻型P-N-P异质结型氢气传感器。本专利技术从材料和结构两方面提高了传感器的性能，使其可在室温下工作，具有良好的应用开发前景。【专利说明】—种室温P-N-P异质结型氢气传感器及其制备方法
本专利技术涉及微电子机械系统气体传感器、半导体材料和有机/无机复合纳米材料领域，具体涉及一种室温P-N-P异质结型氢气传感器及其制备方法。
技术介绍
氢气作为一种清洁无污染的高效燃料，具有良好的发展前景，已受到世界各国的高度重视。它作为一种基本原料，在石油化工、冶金工业以及航天工业中得到广泛的应用。但是氢气分子很小，在生产、传输和使用过程中极易发生泄漏，而且氢气无色无味，爆炸极限范围宽(4%-75%)，遇本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种室温P‑N‑P异质结型氢气传感器，其特征在于：包括衬底，所述衬底为P型微结构硅或P型多孔硅，所述P型微结构硅或P型多孔硅的表面设置有金属纳米颗粒层，所述金属纳米颗粒层的表面设置有P型有机半导体薄膜，所述P型有机半导体薄膜的表面设置有叉指电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：太惠玲，刘春华，叶宗标，蒋亚东，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51