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本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种侧向互连的堆叠封装结构的制备方法，该结构包括上层封装体与下层封装体，该方法包括：制作底部具有多个层问焊球的上层封装体；制作具有再分布层和侧向互连结构的下层封装体，其中，再分布层形成于该下层封装体的下层...该专利属于中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。