温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种高介电常数和低介电损耗的离子改性二氧化钛陶瓷材料及其制备方法，属于环境友好型介电陶瓷领域。本发明所述陶瓷材料用通式表示为(A0.5Nb0.5)xTi1-xO2，其中A为Bi，Al，Ga，Y，Sc，Yb，Dy，Sm，Gd和Pr，...
该专利属于四川大学所有，仅供学习研究参考，未经过四川大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。