温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明实施例公开了一种制备用于原子层沉积高介电常数氧化物的亲水界面的方法，包括：制备硅基片；使用臭氧在硅基片的表面进行原子层沉积，在硅基片的表面沉积一层氧原子；使用水在沉积了一层氧原子的硅基片的表面进行原子层沉积。本发明的实施例的方法中，通...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。