温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体测试结构，包括：衬底，位于衬底上的若干个MOS晶体管和若干个测试焊盘；所述MOS晶体管的第一电极、第二电极和第三电极与测试焊盘电学连接，一个测试焊盘至少与一个MOS晶体管的第一电极、第二电极或第三电极电学连接，且一个MOS晶体管的...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。