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提供即使是200nm以下的铁电体膜厚存储窗也大且具有优异的数据保持特性和优异的脉冲重写耐性等的FeFET(铁电场效应晶体管)。所述FeFET具有在有源极区(12)和漏极区(13)的半导体基体(10)上依次层叠有绝缘体(11)和栅电极导体(4...
该专利属于独立行政法人产业技术综合研究所所有，仅供学习研究参考，未经过独立行政法人产业技术综合研究所授权不得商用。

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