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本发明公开了一种具有超结结构的半导体器件制备工艺，包括如下步骤：提供一第一导电类型的半导体衬底，在该半导体衬底之上制备具有若干第一沟槽的牺牲层；制备一侧墙覆盖在第一沟槽的侧壁；制备第二导电类型的第一外延层将第一沟槽进行填充；移除牺牲层和侧墙...
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