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光电半导体元件及其制作方法技术
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文档序号:11195106
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本发明公开一种光电半导体元件及其制作方法。光电半导体元件包括基材、第一实心介层插塞、光电半导体芯片、荧光层以及封胶体。其中,第一实心介层插塞贯穿基材。光电半导体芯片封胶体,具有一第一电极,对准并与第一实心介层插塞电连接。荧光层覆盖于光电半导...
该专利属于联京光电股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联京光电股份有限公司授权不得商用。
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