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半导体装置以及电流量控制方法制造方法及图纸
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文档序号:11167101
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本发明提供一种半导体装置以及电流量控制方法。在电容元件(C2)未与电容连接端子(18)连接的情况下,使NMOS(29)成为导通状态从而减小恒流生成电路(20)的电阻值,使从恒流生成电路(20)供给至电压跟随放大器(30)的电流的电流量增加。...
该专利属于拉碧斯半导体株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过拉碧斯半导体株式会社授权不得商用。
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