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本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：首先，衬底上形成栅极结构；然后，刻蚀所述栅极结构两侧的衬底区域，形成凹蚀区域，并在所述凹蚀区域表面进行离子注入，以使所述凹蚀区域表面非晶化；再沉积应力层；接着进行退火，使非晶化的凹蚀区域表面...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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