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本申请公开了一种沟槽形成方法以及一种半导体器件制造方法。一示例方法可以包括：在衬底上形成硬掩膜层；在硬掩膜层上形成刻蚀停止确定层；分别对刻蚀停止确定层和硬掩膜层进行构图，以在其中形成与要形成的沟槽相对应的图案；以构图的刻蚀停止确定层和硬掩膜...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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