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本发明揭露一种记忆体元件、记忆体阵列与其操作方法。记忆体元件包含具有第一导电型的基板、具有第二导电型的第一掺杂区、具有第二导电型的第二掺杂区、第一浮置栅极、第二浮置栅极与字符栅极。第一与第二掺杂区位于基板中。第一浮置栅极位于基板上方，且电性...
该专利属于林崇荣;金雅琴所有，仅供学习研究参考，未经过林崇荣;金雅琴授权不得商用。

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