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一种硅通孔及其形成方法，所述硅通孔的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有通孔，所述通孔的表面具有绝缘层；在所述通孔中填充满锗化硅。本发明利用锗化硅的良好填充能力，采用锗化硅填充所述通孔，所形成的导电柱内部不出现孔洞，因此所形成...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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