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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供形成有具有多个用于形成浅沟槽隔离结构的沟槽图案的硬掩膜层的半导体衬底；以硬掩膜层为掩膜，蚀刻半导体衬底以形成沟槽；在沟槽的侧壁和底部形成衬里氧化层；沉积抗反射介电层，覆盖硬掩膜层和...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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