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本发明提供一种布拉格反射波导GaSb基半导体激光器，该激光器由下至上依次包括：n面电极、GaSb衬底、下限制层、下波导层、第一中心腔、第二中心腔、上波导层、上限制层、盖层和p面电极，第一中心腔和第二中心腔内设有有源层；下波导层包括多对n型掺...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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