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本发明大功率PIN器件硅外延片的制造方法，选用重掺As的N型<100>抛光片，电阻率≤0.003Ω·cm，局部平整度≤1.5mm，背面无背封氧化层。1、利用质量迁移原理使多晶硅从石墨基座转移到衬底背面，达到背面包封的目的；2、选...
该专利属于南京国盛电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京国盛电子有限公司授权不得商用。

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