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本发明提供了一种形成鳍式场效应晶体管的方法，包括如下步骤：提供一半导体衬底，刻蚀半导体衬底以形成若干鳍状立柱；沉积栅电极材料层将鳍状立柱和半导体衬底暴露的表面予以覆盖；制备一硬掩膜层将一预设区域中的栅电极材料层的表面进行覆盖；制备一牺牲层，...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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