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本发明提供了一种基于半导体量子点的多结太阳能电池及其制作方法，包括以下步骤：GaAs衬底上依次外延生长缓冲层、牺牲层以及太阳能电池层制作出外延片，太阳能电池层包括N型接触层、GaInP顶电池、隧道结I、GaInAs中电池、隧道结II、InG...
该专利属于苏州强明光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州强明光电有限公司授权不得商用。

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