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本发明提供一种MOS静电保护结构及保护方法，所述MOS静电保护结构至少包括在漏极区中制作的重掺杂反型区，所述重掺杂反型区与所述漏极区的掺杂类型相反。本发明通过在所述漏极区中制作重掺杂反型区，漏极区的电阻绕过重掺杂反型区，使漏极区电阻长度增加...
该专利属于中航（重庆）微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中航（重庆）微电子有限公司授权不得商用。

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