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本发明涉及一种常压下提拉法生长大尺寸氧化镓单晶的方法，步骤如下：(1)将氧化镓粉末真空干燥，除去吸附的水，并压成料块，得氧化镓胚料；(2)氧化镓籽晶选用<010>、<100>或者<001>方向籽晶，切割、...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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