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在晶体生长装置和方法中，将多晶源材料和晶种引入至由布置在炉室内的生长坩埚构成的生长环境中。在第一升华生长压力存在下，在包含反应性成分的第一气体流存在下经由升华的源材料在晶种上的沉积在晶种上升华生长单晶，该反应性成分在所述升华生长期间与来自生...
该专利属于Ⅱ-Ⅵ公司所有，仅供学习研究参考，未经过Ⅱ-Ⅵ公司授权不得商用。

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