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一种鳍式场效应晶体管的制造方法技术
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文档序号:11045179
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本发明提供一种鳍式场效应晶体管的制造方法,在回刻蚀介质层以形成鳍部之间的浅沟槽隔离结构之前,先将鳍部上表面预先形成的两层硬掩膜层中的顶层去除,然后在整个器件表面形成盖层,所述盖层相当于增加浅沟槽填充物的宽度,并改善浅沟槽填充物的形貌,降低回...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。
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