专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
上海华力微电子有限公司
>
自对准金属硅化物的形成方法技术
>技术资料下载
下载自对准金属硅化物的形成方法的技术资料
文档序号:11045175
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种自对准金属硅化物的形成方法,通过两步退火工艺,并在第二次退火工艺中引入氢的同位素气体,利用氢的同位素气体与气氛中的微量氧气发生反应来消除氧气,防止金属硅化物被氧化,从而减少或避免金属硅化物的表面缺陷(如金字塔状),形成形貌平...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。