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一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有待刻蚀层，所述待刻蚀层的材料为低K介质材料；在所述待刻蚀层表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层的材料为掺氮的碳氧化硅；刻蚀部分所述第一掩膜层，直至暴露出待刻蚀层为止；在刻蚀部分所述第一...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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