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本发明涉及半导体器件的制造领域，具体涉及在GaN异质结结构上通过高温化学反应的方法选择性腐蚀势垒层形成GaN基凹栅增强HEMT器件及其制造方法。...
该专利属于佛山芯光半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛山芯光半导体有限公司授权不得商用。

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