温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了使用聚合物共混物的定向自组装形成具有亚光刻间距的特征的用于制造半导体器件的方法，其包括：根据光刻工艺在布置在衬底上的光致抗蚀剂层中形成第一特征的第一图案，光刻工艺具有最小可印制尺寸和最小可印制间距；在具有形成于其中的第一图案的光...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。