温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括下列步骤，提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；图案化所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层，以形成开口；在所述开口中形成外延层；去除所述第二硬掩膜层，在露出的所述外延层...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。