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本实用新型属于光电技术领域，具体涉及一种高导热结构LED芯片。所述高导热结构LED芯片包括基板和蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底面向基板一侧设有N半导体层，所述N半导体层面向基板一侧表面的两端分别设有发光层和N电极，所述发光层一侧表面与N半导体层...
该专利属于厦门英诺尔电子科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门英诺尔电子科技股份有限公司授权不得商用。

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