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存储器可包括两个电极和耦合在两个电极之间具有非晶重置状态和部分结晶设置状态的相变材料。设置状态中的相变材料可在亚阈值电压区域中具有高度非线性电流电压响应。相变材料可以是铟、锑和碲的合金。...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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