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本发明提供一种制备新型GaN基激光器的方法，采用金属有机化合物气相外延技术解决GaN基激光器制备中的一系列关键技术与科学问题，技术方案为：一种制备新型GaN基激光器的方法，采用金属有机化合物气相外延技术，以及三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝作为...该专利属于北京大学东莞光电研究院;东莞市中镓半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学东莞光电研究院;东莞市中镓半导体科技有限公司授权不得商用。