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具有结终端扩展的半导体器件制造技术
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下载具有结终端扩展的半导体器件的技术资料
文档序号:10944036
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提供一种半导体器件(200),包括:含碳化硅的衬底(202);布置在衬底(202)上的漂移层(214),漂移层含掺第一(n型)掺杂剂类型的漂移区(214),以具有第一导电类型;与漂移区相邻并接近漂移层的表面(204)的第二区(216)。第二...
该专利属于通用电气公司所有,仅供学习研究参考,未经过通用电气公司授权不得商用。
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