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降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法技术
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下载降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法的技术资料
文档序号:10939292
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一种降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法,包括以下步骤:步骤1:在砷化镓衬底依次外延生长N型限制层、N型波导层、量子阱有源区、P型波导层、窄带隙插入层、宽带隙插入层、P型限制层和P型接触层;步骤2:采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方法,将P型接触层...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。
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