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本发明是一种差分架构只读存储单元，每个单元包括四条位线支路BL1、BL1B、BL2和BL2B，以及一条字线WL，所述支路BL1和支路BL1B之间构成差分对，所述支路BL2和支路BL2B之间构成差分对，每个差分对之间共用两个MOS场效应晶体管...
该专利属于苏州宽温电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州宽温电子科技有限公司授权不得商用。

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