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本发明提供一种半导体器件和鳍式场效应晶体管的形成方法。在所述半导体器件的形成方法中，半导体衬底的器件密集区上的半导体材料层表面位置高于器件稀疏区上的半导体材料层位置，因而在器件稀疏区上的半导体材料层上覆盖掩膜层，向密集区上部分厚度的半导体材...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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